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SVD2955T4G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DPAK
技术参数:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:SVD2955T4G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 6A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):750pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):55W(Tj)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:DPAK现在可以订购SVD2955T4G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。