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SGW10N60RUFDTM
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 16A 75W D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：SGW10N60RUFDTM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 16A 75W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：16A电流-集电极脉冲(Icm)：30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，10A功率-最大值：75W开关能量：141μJ（开），215μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：30nC25°C时Td（开/关）值：15ns/36ns测试条件：300V，10A，20 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：60ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购SGW10N60RUFDTM，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
