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SGS13N60UFDTU
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 600V 13A 45W TO220F
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技术参数详情：
制造商产品型号：SGS13N60UFDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 13A 45W TO220F系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：13A电流-集电极脉冲(Icm)：52A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，6.5A功率-最大值：45W开关能量：85μJ（开），95μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：25nC25°C时Td（开/关）值：20ns/70ns测试条件：300V，6.5A，50 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：55ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包现在可以订购SGS13N60UFDTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
