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SGP6N60UFDTU
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 6A 30W TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：SGP6N60UFDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 6A 30W TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：6A电流-集电极脉冲(Icm)：25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，3A功率-最大值：30W开关能量：57μJ（开），25μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：15nC25°C时Td（开/关）值：15ns/60ns测试条件：300V，3A，80 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：52ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3现在可以订购SGP6N60UFDTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
