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SGL60N90DG3YDTU
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
技术参数：IGBT 900V 60A 180W TO264
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技术参数详情：
制造商产品型号：SGL60N90DG3YDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 900V 60A 180W TO264系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：900V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，60A功率-最大值：180W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：260nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：1.5μs工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA现在可以订购SGL60N90DG3YDTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
