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NXH100B120H3Q0STG
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
技术参数:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
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技术参数详情:
制造商产品型号:NXH100B120H3Q0STG制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):50A功率-最大值:186W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A电流-集电极截止(最大值):200μA不同?Vce时输入电容(Cies):9.075nF @ 20V输入:标准NTC热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:模块现在可以订购NXH100B120H3Q0STG,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。