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NVMSD6N303R2G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC
技术参数：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：NVMSD6N303R2G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24VFET功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOIC现在可以订购NVMSD6N303R2G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
