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NVMFD6H846NLWFT1G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:表面贴装型
技术参数:MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
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技术参数详情:
制造商产品型号:NVMFD6H846NLWFT1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:卷带(TR)零件状态:Automotive, AEC-Q101FET类型:有源FET功能:2 N-通道(双)漏源电压(Vdss):标准25°C时电流-连续漏极(Id):80V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9,4A(Ta),31A(Tc)不同Id时Vgs(th)(最大值):15 毫欧 @ 5A,10V不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2V @ 21μA不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):17nC @ 10V功率-最大值:900pF @ 40V工作温度:3,2W(Ta),34W(Tc)安装类型:-55°C ~ 175°C(TJ)封装:表面贴装型现在可以订购NVMFD6H846NLWFT1G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。