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NVMFD6H846NLT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：表面贴装型
技术参数：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL
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技术参数详情：
制造商产品型号：NVMFD6H846NLT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：卷带（TR）,剪切带（CT）零件状态：Automotive, AEC-Q101FET类型：有源FET功能：2 N-通道（双）漏源电压（Vdss）：标准25°C时电流-连续漏极(Id)：80V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）不同Id时Vgs(th)（最大值）：15 毫欧 @ 5A，10V不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2V @ 21μA不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V功率-最大值：900pF @ 40V工作温度：3，2W（Ta），34W（Tc）安装类型：-55°C ~ 175°C（TJ）封装：表面贴装型现在可以订购NVMFD6H846NLT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
