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NVMFD5C650NLT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
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技术参数详情：
制造商产品型号：NVMFD5C650NLT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），111A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 98μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2546pF @ 25V功率-最大值：3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFN现在可以订购NVMFD5C650NLT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
