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NVJS3151PT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
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技术参数详情：
制造商产品型号：NVJS3151PT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.6nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 12VFET功能：-功率耗散（最大值）：625mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363现在可以订购NVJS3151PT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
