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NVBG160N120SC1
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK-7
技术参数：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：NVBG160N120SC1制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：19.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：224毫欧 @ 12A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.8nC @ 20VVgs（最大值）：+25V，-15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：678pF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：136W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK-7现在可以订购NVBG160N120SC1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
