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NTR4171PT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-23-3（TO-236）
技术参数：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTR4171PT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 2.2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.6nC @ 10VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：720pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：480mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3（TO-236）现在可以订购NTR4171PT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
