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NTMD2C02R2SG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTMD2C02R2SG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.2A，3.4A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 10V功率-最大值：2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购NTMD2C02R2SG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
