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NTLJD3119CTAG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-WDFN
技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTLJD3119CTAG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：μCool?零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A，2.3A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.7nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：271pF @ 10V功率-最大值：710mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-WDFN现在可以订购NTLJD3119CTAG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
