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NTLGD3502NT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-VDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTLGD3502NT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A，3.6A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 4.3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：480pF @ 10V功率-最大值：1.74W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-VDFN现在可以订购NTLGD3502NT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
