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NTJD1155LT1
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTJD1155LT1制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 1.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：400mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363现在可以订购NTJD1155LT1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
