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NTD4960N-1G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:I-PAK
技术参数:MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:NTD4960N-1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):8.9A(Ta),55A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):1.07W(Ta),35.71W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:I-PAK现在可以订购NTD4960N-1G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。