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NTD4809NA-1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I-PAK
技术参数：MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：NTD4809NA-1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.6A（Ta），58A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，11.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1456pF @ 12VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.3W（Ta），52W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAK现在可以订购NTD4809NA-1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
