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NTBG160N120SC1
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK-7
技术参数:TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:NTBG160N120SC1制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1200V25°C时电流-连续漏极(Id):19.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):224毫欧 @ 12A,20V不同Id时Vgs(th)(最大值):4,3V @ 2,5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):33.8nC @ 20VVgs(最大值):+25V,-15V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):678pF @ 800VFET功能:-功率耗散(最大值):136W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D2PAK-7现在可以订购NTBG160N120SC1,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。