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NSVMMBTH10LT1G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技术参数:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
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技术参数详情:
制造商产品型号:NSVMMBTH10LT1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频零件状态:有源晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):25V频率-跃迁:650MHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):-增益:-功率-最大值:225mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V电流-集电极(Ic)(最大值):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3现在可以订购NSVMMBTH10LT1G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。