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NSVEMT1DXV6T1G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列,封装:SOT-563,SOT-666
技术参数:TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
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技术参数详情:
制造商产品型号:NSVEMT1DXV6T1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列零件状态:有源晶体管类型:2 PNP(双)电流-集电极(Ic)(最大值):100mA电压-集射极击穿(最大值):60V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):500mV @ 5mA,50mA电流-集电极截止(最大值):500pA(ICBO)不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V功率-最大值:500mW频率-跃迁:140MHz工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:SOT-563,SOT-666现在可以订购NSVEMT1DXV6T1G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。