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NSV1C200MZ4T1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-261-4，TO-261AA
技术参数：TRANS PNP 100V 2A SOT223
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技术参数详情：
制造商产品型号：NSV1C200MZ4T1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：TRANS PNP 100V 2A SOT223系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个产品系列：-零件状态：有源晶体管类型：PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：2A电压-集射极击穿（最大值）：100V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：220mV @ 200mA，2A电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：120 @ 500mA，2V功率-最大值：800mW频率-跃迁：120MHz工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-261-4，TO-261AA现在可以订购NSV1C200MZ4T1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
