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NSS40300MDR2G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：NSS40300MDR2G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列零件状态：有源晶体管类型：2 PNP（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：3A电压-集射极击穿（最大值）：40V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：170mV @ 200mA，2A电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V功率-最大值：653mW频率-跃迁：100MHz工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购NSS40300MDR2G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
