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NGTG15N60S1EG
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-220-3
技术参数:IGBT NPT 600V 30A TO220
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技术参数详情:
制造商产品型号:NGTG15N60S1EG制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT NPT 600V 30A TO220系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:最後搶購IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):30A电流-集电极脉冲(Icm):120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,15A功率-最大值:117W开关能量:550μJ(开),350μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:88nC25°C时Td(开/关)值:65ns/170ns测试条件:400V,15A,22 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3现在可以订购NGTG15N60S1EG,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。