ON安森美中国代理商联接渠道
强大的安森美芯片现货交付能力，助您成功
NGTD14T65F2WP
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：模具
技术参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
（专注销售ON电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
技术参数详情：
制造商产品型号：NGTD14T65F2WP制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A功率-最大值：-开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：模具现在可以订购NGTD14T65F2WP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
