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NGTB50N65S1WG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT TRENCH 650V 140A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB50N65S1WG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH 650V 140A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：140A电流-集电极脉冲(Icm)：140A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A功率-最大值：300W开关能量：1.25mJ（开），530μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：128nC25°C时Td（开/关）值：75ns/128ns测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：70ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购NGTB50N65S1WG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
