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NGTB50N60FWG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：单路IGBT，TO-247
技术参数：IGBT 600V 100A 223W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB50N60FWG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 100A 223W TO247系列：-IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：200A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.7V @ 15V，50A功率 - 最大值：223WSwitching Energy：1.1mJ （开）， 1.2mJ （关）输入类型：标准Gate Charge：310nC25°C 时 Td（开/关）值：117ns/285nsTest Condition：400V, 50A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：77ns产品封装：TO-247-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247现在可以订购NGTB50N60FWG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
