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NGTB40N120L3WG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 160A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB40N120L3WG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 160A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：160A电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A功率-最大值：454W开关能量：1.5mJ（开），1.5mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：220nC25°C时Td（开/关）值：18ns/150ns测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：86ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购NGTB40N120L3WG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
