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NGTB35N65FL2WG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB35N65FL2WG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：70A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A功率-最大值：300W开关能量：840μJ（开），280μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：125nC25°C时Td（开/关）值：72ns/132ns测试条件：400V，35A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：68ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购NGTB35N65FL2WG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
