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NGTB10N60R2DT4G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 600V 20A DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB10N60R2DT4G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 20A DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A功率-最大值：72W开关能量：412μJ（开），140μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：53nC25°C时Td（开/关）值：48ns/120ns测试条件：300V，10A，30 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：90ns工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购NGTB10N60R2DT4G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
