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NGTB05N60R2DT4G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：-
技术参数：IGBT 5A 600V DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGTB05N60R2DT4G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 5A 600V DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：*零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：-电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：-功率-最大值：-开关能量：-输入类型：-栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-安装类型：-封装：-现在可以订购NGTB05N60R2DT4G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
