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NGD8201NT4G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 440V 20A 125W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGD8201NT4G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：440V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：50A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A功率-最大值：125W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-/5μs测试条件：300V，9A，1 千欧，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购NGD8201NT4G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
