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NGD8201BNT4G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：IGBT - 单路，TO-252-3，DPak
技术参数：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
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技术参数详情：
制造商产品型号: NGD8201BNT4G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）功能总体简述: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3系列: -IGBT 类型: -电压 - 集射极击穿（最大值）: 430V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 15A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 50A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 1.8V @ 4.5V，10A功率 - 最大值: 115W开关能量: -输入类型: 逻辑栅极电荷: -25°C 时 Td（开/关）值: -/4μs测试条件: 300V，6.5A，1 千欧反向恢复时间（trr）: -产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63安装类型: 表面贴装供应商器件封装: DPAK现在可以订购NGD8201BNT4G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
