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NGB8207ABNT4G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：单路IGBT，D2PAK
技术参数：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
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技术参数详情：
制造商产品型号：NGB8207ABNT4G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：365V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 3.7V，10A功率 - 最大值：165WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：-25°C 时 Td（开/关）值：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAK现在可以订购NGB8207ABNT4G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
