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NE5230DR2
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：NE5230DR2制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC产品系列：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：停产放大器类型：通用电路数：1输出类型：满摆幅压摆率：0.25V/μs增益带宽积：600kHz-3db带宽：-电流-输入偏置：40nA电压-输入补偿：400μV电流-供电：1.1mA电流-输出/通道：32mA电压-供电，单/双?(±)：1.8V ~ 15V，±0.9V ~ 7.5V工作温度：0°C ~ 70°C安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购NE5230DR2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
