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NDS356P
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SuperSOT-3
技术参数:MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
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技术参数详情:
制造商产品型号:NDS356P制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):1.1A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):210 毫欧 @ 1.3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 5VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):180pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):500mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SuperSOT-3现在可以订购NDS356P,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。