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NCV57001DWR2G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：隔离器 - 栅极驱动器，封装：16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
技术参数：IC IGBT GATE DRIVER
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技术参数详情：
制造商产品型号：NCV57001DWR2G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IC IGBT GATE DRIVER系列：隔离器 - 栅极驱动器产品系列：Automotive, AEC-Q100零件状态：有源技术：容性耦合通道数：1电压-隔离：1200Vrms共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/μs传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：90ns，90ns脉宽失真（最大）：-上升/下降时间（典型值）：10ns，15ns电流-输出高、低：7.8A，7.1A电流-峰值输出：-电压-正向(Vf)（典型值）：-电流-DC正向(If)（最大值）：-电压-?输出供电：0V ~ 24V工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）安装类型：表面贴装型封装：16-SOIC（0.295，7.50mm 宽）供应商器件封装：16-SOIC现在可以订购NCV57001DWR2G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
