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NCP5106BMNTWG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：10-VDFN
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：NCP5106BMNTWG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压-供电：10V ~ 20V逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V电流-峰值输出（灌入，拉出）：250mA，500mA输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：600V上升/下降时间（典型值）：85ns，35ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：10-VDFN现在可以订购NCP5106BMNTWG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
