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NCP303150MNTWG
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：39-PowerVFQFN
技术参数：IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
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技术参数详情：
制造商产品型号：NCP303150MNTWG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥，低压侧通道类型：单路驱动器数：2栅极类型：N 沟道 MOSFET电压-供电：4.5V ~ 5.5V逻辑电压?-VIL，VIH：0.65V，2.7V电流-峰值输出（灌入，拉出）：100mA，100mA输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：30V上升/下降时间（典型值）：17ns，26ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：39-PowerVFQFN现在可以订购NCP303150MNTWG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
