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MUN5113DW1T1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：-
技术参数：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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技术参数详情：
制造商产品型号：MUN5113DW1T1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置零件状态：停产晶体管类型：-电流-集电极(Ic)（最大值）：-电压-集射极击穿（最大值）：-电阻器-基极(R1)：-电阻器-发射极(R2)：-不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-电流-集电极截止（最大值）：-频率-跃迁：-功率-最大值：-安装类型：-封装：-现在可以订购MUN5113DW1T1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
