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MMBT918LT1G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：MMBT918LT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频零件状态：有源晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：15V频率-跃迁：600MHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：6dB @ 60MHz增益：11dB功率-最大值：225mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：20 @ 3mA，1V电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3现在可以订购MMBT918LT1G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
