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HGTP5N120BND
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGTP5N120BND制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：21A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A功率-最大值：167W开关能量：450μJ（开），390μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：53nC25°C时Td（开/关）值：22ns/160ns测试条件：960V，5A，25 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：65ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3现在可以订购HGTP5N120BND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
