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HGT1S7N60A4DS
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 600V 34A 125W TO263AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S7N60A4DS制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 34A 125W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：34A电流-集电极脉冲(Icm)：56A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A功率-最大值：125W开关能量：55μJ（开），60μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：37nC25°C时Td（开/关）值：11ns/100ns测试条件：390V，7A，25 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：34ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购HGT1S7N60A4DS，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
