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HGT1S2N120CN
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
技术参数：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S2N120CN制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：13A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A功率-最大值：104W开关能量：96μJ（开），355μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：30nC25°C时Td（开/关）值：25ns/205ns测试条件：960V，2.6A，51 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA现在可以订购HGT1S2N120CN，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
