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HGT1S20N35G3VLS
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT 380V 20A 150W TO263AB
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S20N35G3VLS制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 380V 20A 150W TO263AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：375V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 5V，20A功率-最大值：150W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：28.7nC25°C时Td（开/关）值：-/15μs测试条件：300V，10A，25欧姆，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购HGT1S20N35G3VLS，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
