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HGT1S14N36G3VLT
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
技术参数：IGBT 390V 18A 100W TO262AA
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技术参数详情：
制造商产品型号：HGT1S14N36G3VLT制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 390V 18A 100W TO262AA系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：390V电流-集电极(Ic)（最大值）：18A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 5V，14A功率-最大值：100W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：24nC25°C时Td（开/关）值：-/7μs测试条件：300V，7A，25欧姆，5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA现在可以订购HGT1S14N36G3VLT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
