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H11G2TVM
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:光隔离器 - 晶体管,光电输出,封装:6-DIP(0.400,10.16mm)
技术参数:OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
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技术参数详情:
制造商产品型号:H11G2TVM制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP系列:光隔离器 - 晶体管,光电输出零件状态:有源通道数:1电压-隔离:4170Vrms电流传输比(最小值):1000% @ 10mA电流传输比(最大值):-接通/关断时间(典型值):5μs,100μs上升/下降时间(典型值):-输入类型:DC输出类型:有基极的达林顿晶体管电压-输出(最大值):80V电流-输出/通道:-电压-正向(Vf)(典型值):1.3V电流-DC正向(If)(最大值):60mAVce饱和压降(最大):1V工作温度:-40°C ~ 100°C安装类型:通孔封装:6-DIP(0.400,10.16mm)现在可以订购H11G2TVM,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。