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FQB12N60CTM
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK（TO-263AB）
技术参数：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FQB12N60CTM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2290pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），225W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263AB）现在可以订购FQB12N60CTM，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
