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FGPF70N30TDTU
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
技术参数：IGBT 300V 49.2W TO220F
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGPF70N30TDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 300V 49.2W TO220F系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：300V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，20A功率-最大值：49.2W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：125nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：21ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包现在可以订购FGPF70N30TDTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
